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羅姆已量產(chǎn)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET


高耐壓功率MOSFET"R5050DNZ0C9"的主要特點(diǎn)

    業(yè)內(nèi)頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻
    具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

利用了Si深蝕刻技術(shù)的超結(jié)結(jié)構(gòu)
采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)。
不僅可簡化工序,而且適合微細(xì)化。

利用了Si深蝕刻技術(shù)的超結(jié)結(jié)構(gòu)

導(dǎo)通電阻降低47%
※以傳統(tǒng)產(chǎn)品為"1"為例
導(dǎo)通電阻降低47%


日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET"R5050DNZ0C9"(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝,于9月中旬開始提供樣品(樣品價(jià)格:1000日元/個(gè)),并已于2011年12月份開始投入量產(chǎn)。

隨著節(jié)能趨勢漸行漸強(qiáng),作為可再生能源的代表,太陽能發(fā)電市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。其功率調(diào)節(jié)器領(lǐng)域,正在努力通過電源轉(zhuǎn)換效率的改善實(shí)現(xiàn)節(jié)電,因此對(duì)實(shí)現(xiàn)更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式,為客戶提供多層縱向pn結(jié)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,持續(xù)為高效化作出了貢獻(xiàn)。但是,由于這種方式的制造工序復(fù)雜,因此具有難于微細(xì)化和提高生產(chǎn)性能的課題。

此次,羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù),通過微細(xì)化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,將導(dǎo)通電阻成功降低了約47%。此產(chǎn)品不僅非常適合低導(dǎo)通電阻容易體現(xiàn)出來的轉(zhuǎn)換器部分,而且與羅姆制造的快速恢復(fù)二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合,還可應(yīng)用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗,因此將會(huì)大大有助于提高太陽能發(fā)電的效率。另外,為了適用于更多種類的電路方式,羅姆在采用本技術(shù)進(jìn)一步完善高耐壓產(chǎn)品線的同時(shí),還將不斷擴(kuò)充"PrestoMOS™"系列。

羅姆今后也會(huì)繼續(xù)利用獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù),不斷推進(jìn)滿足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。


■術(shù)語解說

    導(dǎo)通電阻
    功率器件動(dòng)作時(shí)的電阻值。是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù),其值越小性能越高。
    超結(jié)MOSFET
    利用耗盡層在三維空間中的的拓寬,實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。
    SiC(Standard Industrial Classification:碳化硅)
    帶隙是硅的3倍左右、絕緣破壞電場是其10倍左右、導(dǎo)熱率是其3倍左右,是具備優(yōu)異物理性能的化合物半導(dǎo)體,這些特性適合功率器件應(yīng)用和高溫動(dòng)作。羅姆在2010年4月實(shí)現(xiàn)肖特基勢壘二極管的量產(chǎn),并于2010年12月實(shí)現(xiàn)了MOSFET的量產(chǎn)。
    "PrestoMOS™"系列
    低導(dǎo)通電阻、低Qg并且實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的高速trr化的高耐壓MOSFET系列。
    (Presto是指:源于意大利語的意為"極其快速"的音樂用語。)

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