國產(chǎn)功率器件品牌新潔能MOSFET通常可大致分為密封型 （如金屬封裝、陶瓷封裝、低熔點玻璃封裝等）和塑封型兩種。通常情況下，選擇塑封型還是密封型，是需要綜合該新潔能MOSFET使用設備的使用目的、使用環(huán)境、可靠性需求和成本需求等要素。

浪涌抑制晶閘管P61089B是國巨君耀推出的SOP-8封裝雙線可編程瞬態(tài)電壓抑制器，也是半導體放電管（Thyristor Surge Suppressors，簡稱TSS）。具有低動態(tài)開關電壓，-155V寬負點火電壓（VMGL ），IGT電流上限5mA，保持電流上限大于150mA,10 ~ 100 pf結電容的特性，可以滿足數(shù)據(jù)傳輸和低功耗電路的質量要求。需要注意的是其本體絲印是H61089B。