7代IGBT型號(hào)推薦：新潔能 NCE100ED65VTP(650V/100A)和英飛凌IGBT IKW75N65ET7XKSA1

IGBT 功率器件經(jīng)歷了七代升級(jí)：襯底從 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 場(chǎng) 截止，柵極從平面到 Trench 溝槽，最后到目前的第七代的精細(xì) Trench 溝槽。 基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，七代IGBT可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。

以新潔能NCE40ED65VT~NCE160ED65VTP這十一款七代（Gen.7 ）大電流IGBT為例，在100℃標(biāo)稱電流達(dá)到40A~160A。

來(lái)源自英飛凌官方微信公眾號(hào)的信息，英飛凌目前主推的在七代IGBT是20A（IKW20N65ET7XKSA1）~75（IKW75N65ET7XKSA1）的五款型號(hào)的。而國(guó)產(chǎn)IGBT品牌新潔能可以量產(chǎn)100A（NCE100ED65VTP4等）和160A的（NCE160ED65VTP等）的幾款產(chǎn)品。

新潔能（NCE） Gen.7 IGBT 系列產(chǎn)品為匹配不同應(yīng)用需求，開(kāi)發(fā)了不同參數(shù)特點(diǎn)的產(chǎn)品系列，今天要介紹的“V”系列產(chǎn)品具有較大的飽和電流和良好的導(dǎo)通損耗/開(kāi)關(guān)損耗折中特性，非常適合光伏逆變、儲(chǔ)能、UPS 等應(yīng)用。

以650V 40A(NCE40ED65VT)規(guī)格為例，該產(chǎn)品是一款650V、TO-247 封裝、100℃下額定電流 40A的產(chǎn)品。與常見(jiàn)的相近規(guī)格產(chǎn)品進(jìn)行實(shí)測(cè)對(duì)比，詳細(xì)數(shù)據(jù)如下：

從測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看，NCE40ED65VT 的正向?qū)▔航岛投O管續(xù)流壓降都具有優(yōu)勢(shì)，無(wú)論是在正向?qū)ㄟ€是續(xù)流時(shí)都具備更小的器件損耗，并且具備與同規(guī)格競(jìng)品相近的開(kāi)關(guān)損耗。關(guān)斷過(guò)程中 NCE40ED65VT 尖峰電壓 VCEpeak 較低，為實(shí)際應(yīng)用提供更充分的有效電壓余 量。新潔能 Gen.7 IGBT 系列產(chǎn)品不但可以通過(guò) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的常規(guī)可靠性項(xiàng)目，也可以通 過(guò) HV-H3TRB 等更高要求的可靠性項(xiàng)目，滿足實(shí)際應(yīng)用中同時(shí)具備高溫、高濕、高壓的嚴(yán)苛應(yīng)用要求。 新潔能 Gen.7 IGBT “V”系列 650V 產(chǎn)品目前已量產(chǎn) 40A~200A 等多個(gè)電流規(guī)格產(chǎn)品， 由于 Gen.7 IGBT 芯片具備更高的電流密度，可以完成相同體積內(nèi)更大電流的產(chǎn)品以及相同 電流更小的封裝體積。例如，650V 50A 產(chǎn)品可以封裝進(jìn) TO-263 封裝，650V 200A 的 TO-247Plus 封裝。同時(shí)大電流產(chǎn)品開(kāi)發(fā)了具有開(kāi)爾文引腳的 4L 封裝。

目前除了已量產(chǎn)的TO-247封裝外，新潔能7代大電流IGBT還可以提供TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P/TO-3PF等多種封裝。詳見(jiàn)下表：

從官方網(wǎng)站和微信公眾號(hào)分享的信息看，新潔能IGBT和英飛凌IGBT品牌都具有較高的技術(shù)實(shí)力，下表整理了兩個(gè)品牌的幾款7代大電流IGBT型號(hào)推薦給您參考：