國(guó)產(chǎn)新潔能MOSFET NCEP25N10AK：高頻開關(guān)和同步整流的理想選擇

隨著電子設(shè)備對(duì)高效能、高功率密度的需求日益增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化成為技術(shù)突破的關(guān)鍵。國(guó)產(chǎn)品牌新潔能推出的N溝道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK，憑借其超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、超低柵極電荷（Qg）以及高頻開關(guān)特性，成為高頻開關(guān)和同步整流領(lǐng)域的理想選擇。

NCEP25N10AK主要參數(shù):

• 漏源電壓（Vds）：100V
• 導(dǎo)通電阻（RDS（on））：21mΩ @ VGS=10V；26mΩ @ VGS=4.5V
• 連續(xù)漏極電流（Id）：35A
• 脈沖漏極電流（IDM）：140A
• 功率（Pd）：105W
• 工作溫度范圍：-55℃~+175℃
• 封裝形式：TO-252-2L

NCEP25N10AK性能特點(diǎn)：

• 超低導(dǎo)通損耗：作為 SGT-II系列功率MOSFET產(chǎn)品之一，NCEP25N10AK具有超低的導(dǎo)通電阻（Ron,sp），相比于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了20%，結(jié)合更低的FOM值，提升系統(tǒng)效率。
• 高頻開關(guān)性能: 極低的柵極電荷（Qg）和優(yōu)化的寄生電容設(shè)計(jì)，使開關(guān)速度更快、損耗更低。
• 高可靠性：采用先進(jìn)的Super Trench II技術(shù)，具備良好的抗沖擊能力和短路耐受能力。
• 緊湊的封裝設(shè)計(jì)：TO-252-2L封裝尺寸小，散熱性能好，能夠在較小的體積內(nèi)提供較高的功率。

NCEP25N10AK應(yīng)用場(chǎng)景：

• 同步整流：在AC/DC適配器、服務(wù)器電源中替代傳統(tǒng)二極管，減少死區(qū)電壓損耗，提升轉(zhuǎn)換效率。
• 高頻開關(guān)電源：用于開關(guān)電源（SMPS）、DC/DC轉(zhuǎn)換器，通過快速開關(guān)降低磁元件體積，實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與電池管理：驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)或鋰電池保護(hù)電路，利用低導(dǎo)通電阻減少發(fā)熱，延長(zhǎng)電池壽命，并支持大電流快速關(guān)斷以應(yīng)對(duì)短路風(fēng)險(xiǎn)。

新潔能NCEP25N10AK MOSFET通過SGT-II技術(shù)的革新，在高頻開關(guān)效率、系統(tǒng)可靠性及設(shè)計(jì)靈活性上實(shí)現(xiàn)了顯著突破。其核心優(yōu)勢(shì)在于低損耗、高頻率響應(yīng)與多場(chǎng)景適配能力，尤其適合對(duì)能效和空間要求嚴(yán)苛的同步整流、電機(jī)控制及電源管理應(yīng)用。對(duì)于工程師而言，該MOSFET不僅能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度，更能為終端產(chǎn)品賦予更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

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